11 月 13 日消息，据 ChosunBiz 报道，随着存储半导体行业中第六代高带宽内存（HBM4）的竞争愈发激烈，对下一代 HBM 的需求逐渐显现，促使三星电子与 SK 海力士加速推进研发进程。从第七代 HBM（即 HBM4E）开始，HBM 市场有望从以“通用型”产品为主（即厂商自主开发并量产、用以确立行业标准的产品），逐步转向“定制化”产品 —— 即核心组件（如逻辑裸片）可根据客户需求进行定制化设计与供应。

据业内消息，三星电子与 SK 海力士已设定目标，力争最早于明年上半年完成 HBM4E 的开发工作。据悉，HBM4E 将搭载于包括英伟达“Rubin”平台旗舰型号 R300 在内的全球大型科技企业的新一代人工智能（AI）加速器中。鉴于搭载 HBM4E 的 AI 加速器计划于 2027 年正式发布，相关厂商正加速推进研发，以期在明年下半年完成产品品质验证。

鉴于 HBM4E 有望在两年内成为 HBM 市场的主流产品，三星电子与 SK 海力士已全面投入市场争夺战。兴国证券研究员 Son In-jun 表示：“预计明年 HBM 需求同比增速将达 77%，2027 年为 68%；而至 2027 年，HBM4E 将占 HBM 总需求的 40%。”

据IT之家了解，在 HBM4 市场，SK 海力士凭借领先地位巩固了其“单极主导”格局，并已率先行动：其成为存储半导体厂商中首家与行业龙头英伟达敲定明年 HBM4 供货量的公司。据报道，SK 海力士预计将供应英伟达 Rubin 平台初期 HBM4 用量中的相当大比重。尽管英伟达已确认三星电子已进入 HBM4 供应链，但业内消息称，双方供货谈判仍在进行中。

然而，随着市场普遍预期定制化 HBM 需求将自 HBM4E 起全面爆发，部分分析认为行业格局或将迎来重塑。目前，三星电子与 SK 海力士均正积极布局定制化 HBM 市场，其关键在于 —— 作为 HBM4E“大脑”的“逻辑裸片（Base Die）”可依据客户要求进行定制化设计与制造。为及时响应这一趋势，企业需兼具按客户需求定制产品设计的能力，以及先进的晶圆代工（Foundry）制程能力。三星电子已全面内化上述能力，并自 HBM4 起即采用自家代工工艺生产逻辑裸片，持续积累实践经验。

一位半导体行业人士指出：“目前主流观点确实认为，凭借与英伟达的紧密合作关系，SK 海力士有望在 HBM4E 市场延续领先地位；但另一方面，随着全球大型科技企业纷纷自主研发 AI 加速器，对 HBM4E 定制化产品的需求日益多元化，三星电子凭借其具备快速响应能力的代工制程技术与产能储备，同样具备显著优势，市场格局存在重构可能。”

此外，美光（Micron）亦表示正与台积电（TSMC）展开合作，瞄准 HBM4E 市场。与 SK 海力士自 HBM4 起即采用台积电代工工艺制造逻辑裸片不同，美光此前在 HBM4 中采用了其自有的先进 DRAM 工艺。然而，随着客户对高性能、定制化产品需求持续提升，对先进代工制程的依赖日益增强，分析认为，美光因此转向与台积电合作，以强化其技术竞争力。